高k介质在二维晶体上的原子层沉积集成

Han Liu; Kun Xu; Xujie Zhang; Peide D. Ye

doi:10.1063/1.3703595

高k介质在二维晶体上的原子层沉积集成

介观与纳米尺度物理 2012-06-07 v1 材料科学

作者: Han Liu , Kun Xu , Xujie Zhang , Peide D. Ye

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摘要

我们研究了通过原子层沉积(ALD)在氮化硼(BN)和二硫化钼(MoS2)二维晶体上集成Al2O3高k介质。我们证明了以三甲基铝(TMA)和水为前驱体在两种二维晶体上直接进行ALD生长的可行性。通过理论和实验研究，我们发现初始ALD循环起着关键作用，在此期间物理吸附主导了半导体表面的前驱体吸附。我们通过分析Lennard-Jones势对二维表面上的初始ALD生长阶段进行建模，这可以指导未来在二维晶体上优化ALD工艺。

关键词

原子层沉积高k介质二维晶体氮化硼二硫化钼初始生长 Lennard-Jones势

引用

@article{arxiv.1202.3391,
  title  = {The Integration of High-k Dielectric on Two-Dimensional Crystals by Atomic Layer Deposition},
  author = {Han Liu and Kun Xu and Xujie Zhang and Peide D. Ye},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1202.3391},
  year   = {2012}
}

备注

submitted to Appl. Phys. Lett

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