单层 MoS2 晶体管的原子全波段模拟
介观与纳米尺度物理
2013-11-27 v2
摘要
我们利用基于密度泛函理论获得的原子紧束缚哈密顿量，通过全波段弹道量子输运模拟，研究了深度缩放单层 MoS2 n 沟道金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）的输运性质。我们的模拟表明，单层 MoS2 MOSFET 可提供接近理想的亚阈值斜率，并抑制漏致势垒降低（DIBL）和栅致漏极泄漏（GIDL）。然而，这些全波段模拟也显示出跨导受限。这些弹道模拟在输出特性中还表现出负微分电阻（NDR），这与最低导带的窄能量宽度有关，但 MoS2 中的散射可能会大幅减弱或消除此 NDR。
引用
@article{arxiv.1304.2990,
title = {Atomistic Full-Band Simulations of Monolayer MoS2 Transistors},
author = {Jiwon Chang and Leonard F. Register and Sanjay K. Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.2990},
year = {2013}
}
备注
Accepted for publication in Applied Physics Letters