各向异性二维材料单层HfS2与黑磷烯MOSFET的建模
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v1
摘要
通过量子输运模拟，探索了基于各向异性二维材料单层HfS2和黑磷烯的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的弹道输运特性。我们关注沟道晶体取向和沟道长度缩放对器件性能的影响。特别地，全面分析了单层HfS2中简并导带谷的作用。将单层HfS2与黑磷烯MOSFET进行基准比较，我们预测由于单层HfS2的简并导带谷，沟道取向对器件性能的影响在单层HfS2中远弱于黑磷烯。我们的模拟还揭示，在10 nm沟道长度尺度下，黑磷烯MOSFET在导通电流方面优于单层HfS2 MOSFET。然而，观察到在5 nm沟道长度下，单层HfS2 MOSFET可能提供与黑磷烯MOSFET相当但略差的器件性能。
引用
@article{arxiv.1505.04351,
title = {Modeling of Anisotropic Two-Dimensional Materials Monolayer HfS2 and Phosphorene MOSFETs},
author = {Jiwon Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.04351},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in Journal of Applied Physics