多层 MoS2 场效应晶体管中的阶梯状转移特性
材料科学
2020-05-29 v1 应用物理
摘要
层状半导体，如 MoS2，作为后硅与超越 CMOS 电子器件的沟道材料已引起关注。人们已对单层极限投入大量关注，但就场效应晶体管（FETs）的性能而言，单层沟道未必具有优势。因此，研究具有多层沟道的 FETs 的特性十分重要。在此，我们报道了基于机械剥离多层 MoS2 薄片的 FETs 的阶梯状转移特性。原子力显微镜表征揭示，薄片边缘处较薄台阶的存在伴随该阶梯状特性。这一反常的阶梯状特性可归因于由表面吸附物引起的电荷转移所导致的沟道中心与边缘较薄台阶之间阈值电压偏移的差异。本研究揭示了沟道厚度均匀性的重要性。
引用
@article{arxiv.2005.13723,
title = {Staircase-like transfer characteristics in multilayer MoS2 field-effect transistors},
author = {Takuya Ohoka and Ryo Nouchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.13723},
year = {2020}
}