MoS2薄膜晶体管中的低频1/f噪声：薄层与厚层结构的比较
介观与纳米尺度物理
2023-07-19 v1 材料科学
摘要
我们报道了具有“薄”（2-3原子层）和“厚”（15-18原子层）沟道的MoS2薄膜晶体管的输运和低频噪声测量。采用较厚MoS2沟道制作的背栅晶体管具有更高的电子迁移率和更低噪声水平的优势。在“厚”MoS2晶体管中，低频1/f噪声的归一化噪声谱密度与石墨烯中的水平相同。具有原子级薄沟道的MoS2晶体管具有显著更高的噪声水平。已确定的是，与石墨烯器件不同，“厚”沟道（15-18原子平面）的MoS2晶体管的噪声特性可用McWhorter模型描述。我们的结果表明，沟道厚度优化对于MoS2薄膜晶体管的实际应用至关重要。
引用
@article{arxiv.1503.01823,
title = {Low-Frequency 1/f Noise in MoS2 Thin-Film Transistors: Comparison of Single and Multilayer Structures},
author = {S. L. Rumyantsev and C. Jiang and R. Samnakay and M. S. Shur and A. A. Balandin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.01823},
year = {2023}
}
备注
12 pages, 3 figures