拓扑绝缘体类石墨烯剥离薄膜中的低频电流涨落
材料科学
2011-06-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了由硒化铋拓扑绝缘体制成的薄膜中的低频电流涨落和电子噪声。这些薄膜通过类石墨烯的机械剥离法制备，并用作四端和两端器件中的电流传导通道。对电阻随薄膜厚度变化的分析表明，在我们的样品中，表面对电导的贡献占主导地位。研究发现，在1至10 kHz的频率范围内（f为频率），电流涨落的噪声谱接近纯1/f。对于所研究的薄膜，当通道电阻从约10^3欧姆变化到10^5欧姆时，相对噪声幅度S/I^2从约5×10^-8增加到5×10^-6（1/Hz）。所获得的噪声数据对于理解拓扑绝缘体表面和体相中的电子输运以及这类材料的潜在应用具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1102.0961,
title = {Low-Frequency Current Fluctuations in Graphene-like Exfoliated Thin-Films of Topological Insulators},
author = {M. Z. Hossain and S. L. Rumyantsev and K. M. F. Shahil and D. Teweldebrhan and M. Shur and A. A. Balandin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.0961},
year = {2011}
}
备注
17 pages; 7 figures