低频噪声作为探测CVD生长石墨中微观缺陷的手段
介观与纳米尺度物理
2026-03-17 v1 材料科学
摘要
我们报告了对化学气相沉积(CVD)生长石墨中低频电阻波动(1/f噪声)的详细研究。系统测量表明，CVD生长石墨的1/f噪声幅度远高于通常观察到的石墨单晶材料高出数个数量级。这一增强归因于结构性缺陷，如晶界和缺陷态存在于多晶薄膜中。对噪声温度依赖性的详细分析表明，电阻波动源于局部缺陷的热活化动力学。这些结果为理解可扩展石墨薄膜中噪声的微观机制提供了关键见解，并凸显了缺陷工程在优化大规模电子器件中的作用。我们的发现确立了低频噪声作为探测CVD石墨中微观缺陷的灵敏探针，为评估大规模电子技术中的材料质量提供了实用路径。
引用
@article{arxiv.2603.15327,
title = {Low-frequency noise as a probe of microscopic disorder in CVD-grown graphene},
author = {Jagadis Prasad Nayak and Smrutirekha Sahoo and Shreya Barman and Gopi Nath Daptary},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.15327},
year = {2026}
}
备注
7pages, 6 figures