大尺寸CVD生长石墨烯的磁输运
无序系统与神经网络
2011-10-18 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了在铜上通过化学气相沉积(CVD)生长的大面积单层石墨烯的磁阻测量。石墨烯层通过PMMA和热释放胶带转移到SiO2/Si上进行输运测量。在磁场中，在低至30mK的温度下测量了所得厘米级石墨烯样品。我们观察到零场下电阻出现非常尖锐的峰值，该峰值与弱局域化理论拟合良好。样品表现出对场对称的电导涨落，这归因于由于CVD生长过程中铜的晶界导致的大尺度不均匀性引起的系综平均电导涨落。
引用
@article{arxiv.1011.5712,
title = {Magneto-transport of large CVD-grown graphene},
author = {Eric Whiteway and Victor Yu and Josianne Lefebvre and Robert Gagnon and Michael Hilke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.5712},
year = {2011}
}
备注
4 figures, 1 table