SiC 硅面石墨烯的磁输运
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v2
摘要
我们研究了在 SiC 硅面上生长的石墨烯的输运性质。所研究的样品由两个不同的实验室采用两种不同的生长方法制备。在电阻磁体中，于 4 至 100 K 的温度范围内、高达 22 T 的磁场下测量了磁电阻和霍尔电阻。尽管样品制备存在差异，但在两组样品上测得的电阻场依赖性均表现出两个周期的磁振荡，表明存在两个具有不同载流子浓度的平行导电通道。与模型计算的半定量一致性使得我们可以得出结论：这些通道是由高密度和低密度的 Dirac 载流子形成的。此前尚未报道过 SiC 硅面上存在两种不同群体载流子共存的现象。
引用
@article{arxiv.1210.0744,
title = {Magnetotransport in graphene on silicon side of SiC},
author = {P. Vasek and L. Smrcka and P. Svoboda and V. Jurka and M. Orlita and D. K. Maude and W. Strupinski and R. Stepniewski and R. Yakimova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.0744},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 6 figures, accepted for publication in the "IOP Journal of Physics: Conference series" as a contribution to the proceedings of the 20th International Conference on "High Magnetic Fields in Semiconductor Physics", HMF 20