SiC上多层石墨烯的多分量磁光电导率
强关联电子
2015-05-28 v1
摘要
利用磁光吸收和法拉第旋转，在高达7 T的磁场和5至300 K的温度范围内，测量了SiC C面上多层外延石墨烯的远红外对角和霍尔电导率。光谱中识别出多个分量，包括：(i) 源自最靠近SiC的重掺杂石墨烯层的准经典回旋共振 (CR)，(ii) 源自弱掺杂层的低指数朗道能级 (LLs) 之间的跃迁，以及 (iii) 一个宽的光学吸收背景。电子型和空穴型LL跃迁在光学上被区分并显示共存。在一个石墨烯层内发现费米速度的电子-空穴不对称性约为2%，而费米速度在不同层之间变化约10%。LL跃迁的光学强度比孤立石墨烯单层在无电子-电子和电子-声子相互作用下的理论预期小几倍。
引用
@article{arxiv.1105.4802,
title = {Multi-component magneto-optical conductivity of multilayer graphene on SiC},
author = {I. Crassee and J. Levallois and D. van der Marel and A. L. Walter and Th. Seyller and A. B. Kuzmenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.4802},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 6 figures