外延石墨烯单层的电子能谱
材料科学
2015-05-19 v1
摘要
SiC 上的外延石墨烯具有与独立样品非常相似的电子能谱。然而，与衬底的耦合尽管很小，却会影响准粒子性质。结合从头计算与对称性分析，我们推导出石墨烯外延层的修正 Dirac-Weyl 哈密顿量。对于 C 面上的外延层，狄拉克锥几乎保持不变；而对于 Si 面上的外延层，能带分裂约为 30 meV。在某些能量下，狄拉克带因与界面态的共振相互作用而显著畸变，这应会导致迁移率抑制，尤其是在 Si 面上。
引用
@article{arxiv.1009.2185,
title = {Electron spectrum of epitaxial graphene monolayers},
author = {Oleg Pankratov and Stephan Hensel and Michel Bockstedte},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.2185},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 2 figures