通过氟插层获得的高度p型掺杂石墨烯
材料科学
2011-09-08 v1
摘要
我们提出了一种方法，通过在界面处插层一层氟，来解耦生长在 SiC(0001) 上的外延石墨烯。氟原子不与石墨烯形成共价键，而是饱和基底中的 Si 键。氟原子的这种构型诱导了显著的高空穴密度 p \approx 4.5 \times 10^13 cm^-2，等效于费米能级位于狄拉克点 E_D 上方 0.79 eV 处。
引用
@article{arxiv.1104.2812,
title = {Highly p-doped graphene obtained by fluorine intercalation},
author = {Andrew L. Walter and Ki-Joon Jeon and Aaron Bostwick and Florian Speck and Markus Ostler and Thomas Seyller and Luca Moreschini and Yong Su Kim and Young Jun Chang and Karsten Horn and Eli Rotenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.2812},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 2 figures, in print APL