通过金插层实现外延石墨烯单层的电子去耦合
材料科学
2015-05-18 v1
摘要
石墨烯在电子器件中的应用需要大规模外延生长。然而，衬底的存在通常会显著降低载流子迁移率。我们证明，通过金插层，可以将碳化硅硅终端面上形成的部分sp3杂化的第一石墨层与衬底去耦合，从而得到具有改善电子特性的完全sp2杂化的石墨烯层。
引用
@article{arxiv.1003.2355,
title = {Electronic decoupling of an epitaxial graphene monolayer by gold intercalation},
author = {Isabella Gierz and Takayuki Suzuki and Dong Su Lee and Benjamin Krauss and Christian Riedl and Ulrich Starke and Hartmut Höchst and Jurgen H. Smet and Christian R. Ast and Klaus Kern},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.2355},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 4 figures, 1 table