厘米级外延生长单层石墨烯在Ru(0001)上的硅层插层

Jinhai Mao; Li Huang; Yi Pan; Min Gao; Junfeng He; Haitao Zhou; Haiming Guo; Yuan Tian; Qiang Zou; Lizhi Zhang; Haigang Zhang; Yeliang Wang; Shixuan Du; Xingjiang Zhou; A. H. Castro Neto; Hong-Jun Gao

doi:10.1063/1.3687190

厘米级外延生长单层石墨烯在Ru(0001)上的硅层插层

材料科学 2015-06-03 v1

作者: Jinhai Mao , Li Huang , Yi Pan , Min Gao , Junfeng He , Haitao Zhou , Haiming Guo , Yuan Tian , Qiang Zou , Lizhi Zhang , Haigang Zhang , Yeliang Wang , Shixuan Du , Xingjiang Zhou , A. H. Castro Neto , Hong-Jun Gao

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摘要

我们开发了一种在Ru(0001)上生长石墨烯后进行硅层插层的策略，该策略不仅削弱了石墨烯与金属衬底的相互作用，还保留了其卓越性能。这种通过硅层插层方法（SIA）制备的G/Si/Ru结构，通过扫描隧道显微镜/光谱学和角分辨电子光电子能谱进行了表征。这些实验表明这种新型复合材料具有高的结构和电子质量。SIA允许对石墨烯与金属衬底之间的距离进行原子级控制，该距离可用作顶栅。我们的结果显示了在下一代具有定制性能的石墨烯基材料方面的潜力。

关键词

石墨烯硅插层 Ru(0001) 外延生长扫描隧道显微镜角分辨光电子能谱顶栅

引用

@article{arxiv.1112.4228,
  title  = {Silicon Layer Intercalation of Centimeter-Scale, Epitaxially-Grown Monolayer Graphene on Ru(0001)},
  author = {Jinhai Mao and Li Huang and Yi Pan and Min Gao and Junfeng He and Haitao Zhou and Haiming Guo and Yuan Tian and Qiang Zou and Lizhi Zhang and Haigang Zhang and Yeliang Wang and Shixuan Du and Xingjiang Zhou and A. H. Castro Neto and Hong-Jun Gao},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1112.4228},
  year   = {2015}
}

备注

13 pages, 4 figures, to be published in Appl. Phys. Lett

厘米级外延生长单层石墨烯在Ru(0001)上的硅层插层

摘要

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