人工晶格失配石墨烯/金属界面：Graphene/Ni/Ir(111)
材料科学
2015-06-12 v1
摘要
我们报道了通过在 graphene/Ir(111) 中插层单层 Ni 原子所获得的人工 graphene/Ni(111) 系统的结构和电子性质。插层后，Ni 在 Ir(111) 上外延生长，形成了晶格失配的 graphene/Ni 系统。通过扫描隧道显微镜（STM）测量和密度泛函理论（DFT）计算，我们表明插层的 Ni 层导致石墨烯薄膜产生显著的起伏。同时，角分辨光电子能谱（ARPES）测量显示相互作用增强，表明石墨烯 带从几乎未受扰动到强杂化的清晰转变。将这种类插层石墨烯系统与体相 Ni(111) 上的平坦石墨烯以及 Ir(111) 上的轻微波纹石墨烯进行比较，使我们能够区分导致观测到的相互作用增强的两个关键性质，即晶格匹配和电子相互作用。尽管后者决定了杂化的强度，但我们发现由晶格失配导致的局部碳构型具有重要影响。
引用
@article{arxiv.1301.1209,
title = {An Artificially Lattice Mismatched Graphene/Metal Interface: Graphene/Ni/Ir(111)},
author = {D. Pacilé and P. Leicht and M. Papagno and P. M. Sheverdyaeva and P. Moras and C. Carbone and K. Krausert and L. Zielke and M. Fonin and Y. S. Dedkov and F. Mittendorfer and J. Doppler and A. Garhofer and J. Redinger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.1209},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 3 figures, Accepted for publication in Phys. Rev. B