石墨烯与Re(0001)衬底上Ag单层的杂化

M. Papagno; P. Moras; P. M. Sheverdyaeva; J. Doppler; A. Garhofer; F. Mittendorfer; J. Redinger; C. Carbone

doi:10.1103/PhysRevB.88.235430

石墨烯与Re(0001)衬底上Ag单层的杂化

材料科学 2014-01-20 v1 介观与纳米尺度物理

作者: M. Papagno , P. Moras , P. M. Sheverdyaeva , J. Doppler , A. Garhofer , F. Mittendorfer , J. Redinger , C. Carbone

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摘要

我们通过角分辨光电子能谱测量和密度泛函理论计算，研究了插入一层Ag单层前后Re(0001)衬底上石墨烯的电子结构。Ag的插层减弱了石墨烯与Re的相互作用，并改变了石墨烯的电子能带结构。尽管费米能级附近石墨烯{\pi}态的线性色散表明石墨烯与贵金属层之间的相互作用相当弱，我们仍在较低能量区域观察到Ag能带与{\pi}态之间存在显著的杂化。这些结果表明，用贵金属层覆盖表面确实能够解耦电子态，但仍然会导致石墨烯电子结构的显著变化。

关键词

石墨烯银单层插层角分辨光电子能谱密度泛函理论电子结构

引用

@article{arxiv.1401.4283,
  title  = {Hybridization of Graphene and a Ag Monolayer Supported on Re(0001)},
  author = {M. Papagno and P. Moras and P. M. Sheverdyaeva and J. Doppler and A. Garhofer and F. Mittendorfer and J. Redinger and C. Carbone},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1401.4283},
  year   = {2014}
}

备注

5 pages, 3 figures

石墨烯与Re(0001)衬底上Ag单层的杂化

摘要

关键词

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