银离子嵌入置于 Ni(111) 上的石墨单层下方所致价带电子结构的修饰
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
应用角度光电子能谱和 Auger 电子能谱研究了银离子嵌入置于 Ni(111) 表面石墨单层（MG）下的过程。将银在 MG/Ni(111) 系统上方原位沉积导致银在 MG 上方形成类岛生长。将“ as-deposited”系统在 350-450°C 的 annealing 后，约 1-2 单层（ML）的银独立地嵌入置于 MG beneath Ni(111) 下方，与预沉积银膜厚度（3-100 Å）无关。银的嵌入伴随石墨衍生的价带态向能量略高于原始石墨特征能量位移。这一观察可理解为在 MG/Ag/Ni(111) 系统中，MG 与衬底之间的化学键被削弱，且该相互作用中 MG/Ni(111) 的共价贡献较小。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0304575,
title = {Modification of the valence band electronic structure under Ag intercalation underneath graphite monolayer on Ni(111)},
author = {Yu. S. Dedkov and M. Poygin and D. Vyalikh and A. Starodubov and A. M. Shikin and V. K. Adamchuk},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0304575},
year = {2007}
}
备注
19 pages, 5 figures