基于 Ir(111) 上石墨烯 Bi 插层的带隙工程
材料科学
2016-05-25 v1
摘要
我们报道了在 Ir(111) 单晶上生长的石墨烯层下插层单层铋的结构与电子性质。扫描隧道显微镜（STM）揭示了 Bi 插层后的六方表面结构与位错网络，我们将其归因于底层 Ir(111) 表面的 Bi 结构。第一性原理计算表明该 Bi 结构能量上最有利，并说明 STM 测量对靠近插层 Bi 原子的 C 原子最敏感。此外，如角分辨光电子能谱所见，Bi 插层在石墨烯狄拉克点诱导出带隙（eV）以及整体 n 型掺杂（eV）。我们将带隙的出现归因于沿石墨烯/Ir(111) 界面诱导的 moir\'e 结构特定部分有利形成的位错网络。
引用
@article{arxiv.1603.08724,
title = {Band gap engineering by Bi intercalation of graphene on Ir(111)},
author = {Jonas Warmuth and Albert Bruix and Matteo Michiardi and Torben Hänke and Marco Bianchi and Jens Wiebe and Roland Wiesendanger and Bjørk Hammer and Philip Hofmann and Alexander A. Khajetoorians},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.08724},
year = {2016}
}
备注
5 figures