具有石墨烯中间层的金属/n-GaAs(001)结的负费米能级钉扎效应
介观与纳米尺度物理
2022-08-18 v1 材料科学
摘要
研究表明，在金属/石墨烯/n-GaAs(001) 结中，金属/石墨烯接触处电子波函数重叠引起的电偶极层，在具有低界面陷阱密度的 GaAs 表面区域产生负费米能级钉扎效应。石墨烯中间层起到扩散势垒的作用，阻止界面处的原子混合并保留低界面陷阱密度区域。肖特基势垒随金属功函数增大而减小，支持了负费米能级钉扎效应。我们的工作表明，石墨烯中间层可使金属的有效功函数在高与低之间反转，从而能在具有低表面态密度的半导体衬底上，使用相同（特别是高功函数）金属电极形成肖特基接触与类欧姆接触。
引用
@article{arxiv.1907.06165,
title = {Negative Fermi-level Pinning Effect of Metal/n-GaAs(001) Junction with Graphene Interlayer},
author = {Hoon Hahn Yoon and Wonho Song and Sungchul Jung and Junhyung Kim and Kyuhyung Mo and Gahyun Choi and Hu Young Jeong and Jong Hoon Lee and Kibog Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.06165},
year = {2022}
}
备注
19 pages, 10 figures