金属/锗界面费米能级钉扎的机制
介观与纳米尺度物理
2012-01-31 v1
摘要
长期以来，金属/锗界面费米能级钉扎（FLP）的物理起源一直存在争议。利用我们最初开发的 FeSi/Ge(111) 异质结构，我们可以探索通过原子级匹配的金属/Ge 结的电输运性质。与迄今为止报道的传统金属/-Ge 结不同，我们清楚地观察到了整流电流-电压特性，其具有可测量的肖特基势垒高度，且该高度取决于 FeSi/Ge(111) 结的接触面积。这些结果表明，在讨论金属/Ge 界面肖特基势垒的形成时，应区分本征机制和非本征机制。这项研究将有助于理解几乎所有金属/半导体界面的 FLP。
引用
@article{arxiv.1108.3669,
title = {Mechanism of Fermi Level Pinning at Metal/Germanium Interfaces},
author = {K. Kasahara and S. Yamada and K. Sawano and M. Miyao and K. Hamaya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.3669},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 4 figures