利用原子探针层析成像理解 ZnO:Al / SiO2 / Si 界面的肖特基势垒高度钉扎
材料科学
2016-10-05 v1
摘要
我们使用电输运和原子探针层析成像研究了轻掺杂 n 型和 p 型 Si 上的 ZnO:Al / SiO2 / Si 肖特基结。我们将 ZnO:Al 薄膜中的载流子浓度改变两个数量级，但肖特基势垒高度保持不变，这与金属/Si 结中观察到的费米能级钉扎一致。原子探针层析成像显示 Al 偏析到界面，因此即使 ZnO:Al 薄膜主体为半导体，结处的 ZnO:Al 也可能呈金属性。我们假设费米能级钉扎与掺杂 ZnO 的绝缘体-金属转变有关，并且控制该转变可能是解除氧化物/Si 肖特基结中费米能级钉扎的关键。
引用
@article{arxiv.1510.08794,
title = {Using atom probe tomography to understand Schottky barrier height pinning at the ZnO:Al / SiO2 / Si interface},
author = {R. Jaramillo and Amanda Youssef and Austin Akey and Frank Schoofs and Shriram Ramanathan and Tonio Buonassisi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.08794},
year = {2016}
}