第一性原理计算揭示的肖特基势垒形成与能带弯曲
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v2 材料科学
摘要
通过原型肖特基二极管（即铌掺杂金红石二氧化钛与金接触，Au/Nb:TiO）的第一性原理模拟和模型分析，实现了对金属与n型半导体界面处势垒形成和能带弯曲的原子尺度洞察。发现局域肖特基势垒高度根据掺杂剂位置在0到1.26 eV之间变化。能带弯曲由界面与掺杂位点之间掺杂诱导的偶极场引起，而原始的Au/TiO界面未显示任何能带弯曲。这些发现为金属-半导体纳米结构中肖特基势垒和光收集的原子尺度优化开辟了可能。
引用
@article{arxiv.1503.04869,
title = {Schottky barrier formation and band bending revealed by first principles calculations},
author = {Yang Jiao and Anders Hellman and Yurui Fang and Shiwu Gao and Mikael Käll},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.04869},
year = {2015}
}