纳米斯肖基二极管的尺度效应
凝聚态物理
2009-11-07 v2
摘要
本文提出了一种通用的模型，用于描述极小尺寸斯肖基二极管中势垛形状的特性。研究表明，对于小于特征长度 （与半导体掺杂水平相关）的二极管，传统描述方法不再适用。此时，斯肖基势垛的厚度随着二极管尺寸减小而减小。由此导致二极管电阻显著降低，由于隧穿效应增强。无需假设势垛高度降低（非 Bulk 态），此效应能够解释多项小尺寸斯肖基二极管中增强电导的实验观察结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0202401,
title = {Scaling of nano-Schottky-diodes},
author = {G. D. J. Smit and S. Rogge and T. M. Klapwijk},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0202401},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, accepted for publication in Appl. Phys. Lett., some minor additions and corrections