一种基于对称性的从电阻补偿 I-V 特性提取肖特基二极管参数的新方法
仪器与探测器
2021-09-07 v1 材料科学
摘要
我们提出一种新颖的电阻补偿 I-V 方法，用于提取金属-半导体二极管的串联电阻、理想因子、势垒高度和内置电势。我们表明，当肖特基方程被写为常微分方程时，由其一种独特但迄今未报道的对称性可导出一种简化方程。尽管有密集的数学论证，我们展示了这一新方程如何通过简单算法直接应用于经验数据集。我们在一个新型 Al/p-Si/BiSe/Al 肖特基二极管上测试该方法，并在同一数据上与 Cheung-Cheung 方法进行比较。发现串联电阻随外加偏压呈指数变化，其速率常数依赖于入射光照。势垒高度随偏压下降但与入射光照无关。该方法结果的趋势与文献高度一致，并且相较于其他电学方法可能给出更精确的二极管参数。
引用
@article{arxiv.2106.12324,
title = {A new symmetry-based extraction method of Schottky diode parameters from resistance-compensated I-V characteristics},
author = {Richard Opio Ocaya and Fahrettin Yakuphanoglu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.12324},
year = {2021}
}
备注
32 pages, 11 figures in 7 graphics