高阻CdZnTe探测器上Pt肖特基型接触的特性
仪器与探测器
2009-11-07 v1
摘要
本文给出了利用高压布里奇曼法生长的高阻单晶制备的带Pt接触的CdZnTe探测器的I-V特性研究。我们使用将CZT探测器近似为反向肖特基接触与体电阻串联系统的模型分析了实验I-V曲线。对实验数据的最小二乘拟合得到Pt-CZT肖特基势垒高度为0.78-0.79 eV，耗尽2 mm厚CZT探测器所需电压<20 V。我们证明在高偏压下，越过肖特基势垒的热离子电流（其高度因接触与CZT材料间的界面层而降低）控制了探测器的漏电流。在许多情况下，暗电流不是由体材料电阻率决定，而是由接触特性决定；即由接触与CZT材料间的界面层决定。
引用
@article{arxiv.physics/0103005,
title = {Properties of Pt Schottky Type Contacts On High-Resistivity CdZnTe Detectors},
author = {Aleksey E. Bolotnikov and Steven E. Boggs and C. M. Hubert Chen and Walter R. Cook and Fiona A. Harrison and Stephen M. Schindler},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0103005},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 11 figures