体电导和表面电导对CdZnTe像素探测器性能的影响
仪器与探测器
2009-11-07 v1 空间物理
摘要
我们研究了体电导和表面电导对具有Pt接触的高阻CdZnTe（CZT）像素探测器性能的影响。我们强调了体电导和表面电导在机制上的差异，这由其不同的温度行为所指示。此外，在CZT表面存在一层在制造过程中形成的薄（10-100 Å）氧化层，它同时影响体漏电流和表面漏电流。我们证明，测得的体电流I-V特性可以通过将CZT探测器视为具有两个背对背肖特基势垒接触的金属-半导体-金属系统来解释。高表面漏电流显然是由于存在一个低电阻率的表面层，其特性与体材料有显著差异。该表面层对多接触几何结构探测器的电荷收集效率有深远影响；一部分从阴极发出的电场线穿过像素接触之间的表面区域，电离粒子产生的电荷在此处被俘获。为克服此效应，我们在像素接触之间放置了一层薄电极网格；当网格加负偏压时，像素间隙中的强电场迫使落在表面的电子向接触电极移动，从而防止电荷损失。我们通过使用铟凸点倒装焊接到定制VLSI读出芯片上的CZT像素探测器研究了这些效应。
引用
@article{arxiv.physics/0112001,
title = {Effects of Bulk and Surface Conductivity on the Performance of CdZnTe Pixel Detectors},
author = {Aleksey E. Bolotnikov and C. M. Hubert Chen and Walter R. Cook and Fiona A. Harrison and Irfan Kuvvetli and Stephen M. Schindler},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0112001},
year = {2009}
}