体效应对三维拓扑绝缘体表面拓扑导电的影响
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v3
摘要
在精细调节的磁场中，拓扑绝缘体的表面态是实现抗无序拓扑金属的理想候选者。其特征为：(1) 在精细调节的纵向磁场中，长导线中的电导平台；(2) 电导率随样品尺寸增加而始终增加，且两者均与无序强度无关。我们通过数值模拟研究了拓扑绝缘体样品内部的体物理如何影响这些实验输运特征。我们表明，拓扑金属的这两个特征对体效应具有鲁棒性。然而，体效应确实显著加速了金属在磁场中的衰变，并改变了其对表面无序的响应。当无序强度调节至与体能带共振时，电导率遵循标度理论的预测，表明导电是扩散性的。在其他无序强度下，体效应减弱了表面无序的影响，系统性地违反了标度理论，表明导电并非完全扩散性。这些效应将改变表面电导率和磁电导率的大小。
引用
@article{arxiv.1309.6738,
title = {Bulk effects on topological conduction on the surface of 3-D topological insulators},
author = {Quansheng Wu and Vincent E. Sacksteder},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.6738},
year = {2015}
}