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无序轴子绝缘体中分离的表面与体拓扑安德森局域化转变

无序系统与神经网络 2025-01-29 v1 介观与纳米尺度物理 强关联电子

摘要

在体态和边界支持不同电子能隙的物质拓扑相中,存在在无序存在下迁移率能隙解耦的可能性。这类似于在传统朗道理论中实现分离或伴生体-界临界性的经典研究问题。使用具有 e2/2he^2/2h 量子化霍尔电导的清洁、带隙表面的三维轴子绝缘体,我们展示了体态和表面迁移率能隙在无序存在下的演化方式不同。体态与表面拓扑的解耦产生了一个区域,该区域在高斯酉系综 (GUE) 中实现了一种二维、非量子化的反常霍尔金属,其具有类似于传统三维 (3D) 拓扑绝缘体表面态的谱性质和响应性质。本文讨论了这些结果的普遍性及其向其他绝缘体和超导体的推广。

关键词

引用

@article{arxiv.2501.16413,
  title  = {Separate surface and bulk topological Anderson localization transitions in disordered axion insulators},
  author = {Cormac Grindall and Alexander C. Tyner and Ang-Kun Wu and Taylor L. Hughes and J. H. Pixley},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2501.16413},
  year   = {2025}
}

备注

6 + 10 pages, 3 + 11 Figures