Bi掺杂PbSb2Te4无序拓扑绝缘体中观察到的Anderson局域化背后的拓扑去局域化
材料科学
2025-04-03 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
我们通过详细的传输测量实验地调查了拓扑绝缘体Pb(Bi1-xSbx)2Te4 (x=0.793-0.818)中bulk态和拓扑surface态局域化趋势。当 x 在 0.793<=x<0.818 时，bulk电子态位于Anderson相变的绝缘侧，这由 k_Fl 参数（其中 k_F 为费米波数，l 为平均自由程）低于Ioffe-Regel准则（即 k_F l<1）表明。在 contrast 中，拓扑surface态保持高迁移率甚至表现出量子振荡，显示出其对强强度无序的韧性。这些发现突显了尽管bulk电子态发生Anderson局域化，拓扑surface态仍保持去局域化特性。
引用
@article{arxiv.2504.01343,
title = {Topological delocalization against Anderson localization observed in Bi-doped PbSb2Te4 disordered topological insulator},
author = {Yuya Hattori and Koichiro Yaji and Keisuke Sagisaka and Shunsuke Yoshizawa and Shunsuke Tsuda and Yuki Tokumoto and Taichi Terashima and Shinya Uji and Keiichi Edagawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.01343},
year = {2025}
}
备注
18+3 pages, 2+1 figures