辐照像素传感器电荷收集的注量依赖性
仪器与探测器
2008-11-26 v3
摘要
CMS像素探测器的桶部区域将配备“n-in-n”型硅传感器。它们采用DOFZ材料加工，使用适度p-spray技术，并具有偏置网格。后者导致像素区域的一小部分对粒子不太敏感。为了量化这种低效率，将辐照粒子注量在到之间的原型像素传感器倒装焊接到未辐照的读出芯片上，并使用CERN SPS的H2束线上的高能π介子进行了测试。该读出芯片允许非零抑制的模拟读出，因此非常适合测量传感器的电荷收集特性。在本文中，我们讨论了收集信号和粒子探测效率的注量依赖性。此外，还研究了效率的位置依赖性。
引用
@article{arxiv.physics/0411214,
title = {Fluence Dependence of Charge Collection of irradiated Pixel Sensors},
author = {T. Rohe and D. Bortoletto and V. Chiochia and L. M. Cremaldi and S. Cucciarelli and A. Dorokhov and C. Hoermann and D. Kim and M. Konecki and D. Kotlinski and K. Prokofiev and C. Regenfus and D. A. Sanders and S. Son and T. Speer and M. Swartz},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0411214},
year = {2008}
}
备注
11 Pages, Presented at the 5th Int. Conf. on Radiation Effects on Semiconductor Materials Detectors and Devices, October 10-13, 2004 in Florence, Italy, v3: more typos corrected, minor changes required by the referee