用于ATLAS升级的硅n-in-p像素探测器的特性与性能
仪器与探测器
2015-03-17 v2
摘要
现有的ATLAS径迹探测器在粒子注量达到10^15 neq/cm^2（LHC）时将处于其功能极限。因此，对于较小半径处的升级（如计划中的可插入B层（IBL））以及增加的LHC亮度（超级LHC），需要开发能够应对由此产生的粒子注量的新结构和材料。N-in-p硅器件是实现这些目标的径迹探测器有希望的候选者，因为它们耐辐射、成本效益高，并且在辐照后不会发生类型反转。本文对基于MPP/HLL设计并由CiS（德国爱尔福特）在300微米厚的浮区材料上生产的n-in-p像素探测器进行了表征，并展示了传感器和单芯片模块（SCM）的电学特性，包括噪声、电荷收集效率，以及使用MIP和241Am源的测量结果。SCM由连接到当前ATLAS读出芯片FE-I3的传感器构成。表征工作使用ATLAS像素读出系统在24 GeV/c质子辐照前后进行。此外，还讨论了使用SCM获得的跟踪效率和电荷收集的初步测试束结果。
引用
@article{arxiv.1012.3595,
title = {Characterization and Performance of Silicon n-in-p Pixel Detectors for the ATLAS Upgrades},
author = {Philipp Weigell and Michael Beimforde and Christian Gallrapp and Alessandro La Rosa and Anna Macchiolo and Richard Nisius and Heinz Pernegger and Rainer Richter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.3595},
year = {2015}
}
备注
Proceedings to RESMDD10 Submitted to NIM A