面向未来 ATLAS 升级的新型硅 n-in-p 像素传感器
仪器与探测器
2015-06-05 v1
摘要
鉴于 LHC 向 HL-LHC 升级的阶段，ATLAS 实验计划用全硅系统升级其内探测器。n-in-p 硅技术凭借其抗辐射能力和成本效益，成为像素升级的有希望的候选方案，这使得扩大像素探测器覆盖面积成为可能。我们展示了由 CiS（德国）生产并通过凸点焊接连接到 ATLAS 读出芯片 FE-I3 的新型 n-in-p 平面像素传感器的表征与性能。这些结果是在辐照前后获得的，辐照注量高达 1-MeV n/cm，证明了此类传感器在 HL-LHC 像素系统预期的严酷辐射环境中的可操作性。我们还概述了 CiS 正在进行的与新 ATLAS 读出芯片 FE-I4 兼容的新型像素生产情况。
引用
@article{arxiv.1205.5305,
title = {Novel Silicon n-in-p Pixel Sensors for the future ATLAS Upgrades},
author = {A. La Rosa and C. Gallrapp and A. Macchiolo and R. Nisius and H. Pernegger and R. H. Richter and P. Weigell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.5305},
year = {2015}
}
备注
Preprint submitted to NIM-A Proceedings (Elba 2012)