用于 ATLAS 升级的薄型无边缘 N-on-p 平面像素传感器的电学表征
仪器与探测器
2015-06-17 v1 高能物理 - 实验
摘要
鉴于大型强子对撞机（LHC）向高亮度 LHC（HL-LHC）升级的阶段，ATLAS 实验计划将内部探测器升级为全硅系统。由于其辐射硬度和成本效益，n-on-p 硅技术是大面积像素探测器的一个有希望的候选者。本文报道了由 LPNHE 和 FBK 联合开发的新型 n-on-p 无边缘平面像素传感器，该传感器利用有源沟槽（active trench）概念来减少器件周边的死区面积。在讨论了传感器技术并展示了一些传感器模拟结果后，将对所生产器件的电学表征进行全面概述。
引用
@article{arxiv.1311.1628,
title = {Electrical Characterization of a Thin Edgeless N-on-p Planar Pixel Sensors For ATLAS Upgrades},
author = {M. Bomben and A. Bagolini and M. Boscardin and L. Bosisio and G. Calderini and J. Chauveau and G. Giacomini and A. La Rosa and G. Marchori and N. Zorzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.1628},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 9 figures, to appear in the proceedings of the 15th International Workshops on Radiation Imaging Detectors