用于 ATLAS 升级的薄型 n-in-p 平面像素模块研究
仪器与探测器
2016-12-21 v2 高能物理 - 实验
摘要
鉴于计划于 2023-2025 年左右开始的大型强子对撞机高亮度升级 (HL-LHC)，ATLAS 实验将更换其内部探测器。更高的亮度意味着更高的辐照水平，因此要求像素系统内层具备更强的耐辐射性。n-in-p 硅技术是装备该区域的有力候选者，这也得益于其成本效益，因为与目前 LHC 实验中采用的 n-in-n 像素技术相比，它只需要单面处理。此外，人们发现薄型传感器能够确保在高注量下的耐辐射性。本文概述了近期使用未辐照和辐照后的 n-in-p 平面像素模块获得的结果。重点关注最近在 ADVACAM 生产的活性厚度为 100 和 150 m 的 n-in-p 平面像素传感器。为了最大化传感器的活性面积，实现了细边缘和活性边缘。这些模块的性能在束流测试中进行了研究，并将展示边缘效率的结果。
引用
@article{arxiv.1609.05250,
title = {Investigation of thin n-in-p planar pixel modules for the ATLAS upgrade},
author = {N. Savic and J. Beyer and A. La Rosa and A. Macchiolo and R. Nisius},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.05250},
year = {2016}
}