厚膜 HV-SOI 工艺制备的辐照像素传感器的电荷收集特性
仪器与探测器
2017-10-27 v3
摘要
将 HV-CMOS 传感器用作升级后 LHC（HL-LHC）上 ATLAS 实验的跟踪探测器的研究近来已是活跃的研究领域。一种采用绝缘体上硅（Silicon-On-Insulator, SOI）技术制造的像素探测器的候选方案，已在总电离剂量（Total Ionizing Dose, TID）辐射硬度和中等中子辐照后的电荷收集方面得到表征。本文中，我们给出了通量高达 1x10e16 neq/cm2 的中子广泛辐照硬度研究结果。无源像素化结构中的电荷收集通过边缘瞬态电流技术（Edge Transient Current Technique, E-TCT）测量。有效空间电荷浓度的演化符合受主移除模型，空间电荷浓度最小值在 5x10e14 neq/cm2 后达到。对探测器响应的像素内均匀性研究揭示了 SOI 设计特有的外延硅层的寄生电荷收集。结果得到了等效探测器布局中电荷收集数值模拟的支持。
引用
@article{arxiv.1701.06324,
title = {Charge collection properties in an irradiated pixel sensor built in a thick-film HV-SOI process},
author = {B. Hiti and V. Cindro and A. Gorišek and T. Hemperek and T. Kishishita and G. Kramberger and H. Krüger and I. Mandić and M. Mikuž and N. Wermes and M. Zavrtanik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.06324},
year = {2017}
}
备注
14 pages, 10 figures