利用高动量带电粒子表征薄型全耗尽 SOI 像素传感器
仪器与探测器
2012-02-17 v1
摘要
本文介绍了在高电阻率衬底上采用 SOI 技术制造的薄型全耗尽像素传感器的表征结果，该表征使用高动量带电粒子进行。传感器被减薄至 70 m，并在背平面植入了一层薄的磷光体层接触。基于在 CERN SPS 利用 300 GeV 介子收集的数据，我们在信号与噪声、探测效率和单点分辨率方面，将其响应与相同设计的厚型传感器进行了比较。我们观察到，收集的电荷和信噪比根据灵敏体积的估计厚度进行缩放，且减薄芯片的效率和单点分辨率与厚型传感器的测量值相当。
引用
@article{arxiv.1202.1105,
title = {Characterisation of a Thin Fully Depleted SOI Pixel Sensor with High Momentum Charged Particles},
author = {Marco Battaglia and Dario Bisello and Devis Contarato and Peter Denes and Piero Giubilato and Serena Mattiazzo and Devis Pantano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.1105},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 3 figures, submitted to Nucl. Instr. and Meth., section A