利用软X射线辐射对薄型全耗尽SOI像素传感器的特性表征

Marco Battaglia; Dario Bisello; Richard Celestre; Devis Contarato; Peter Denes; Serena Mattiazzo; Craig Tindall

doi:10.1016/j.nima.2012.01.054

利用软X射线辐射对薄型全耗尽SOI像素传感器的特性表征

仪器与探测器 2015-06-03 v1

作者: Marco Battaglia , Dario Bisello , Richard Celestre , Devis Contarato , Peter Denes , Serena Mattiazzo , Craig Tindall

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摘要

本文介绍了在高电阻率衬底上采用绝缘体上硅（SOI）技术制造的背照式像素传感器在软X射线下的特性表征结果。该传感器被减薄，并在背面植入了一层薄磷层接触。其在LBNL先进光源利用荧光辐射评估了对2.12至8.6 keV X射线的响应。

引用

@article{arxiv.1111.2151,
  title  = {Characterisation of a Thin Fully-Depleted SOI Pixel Sensor with Soft X-ray Radiation},
  author = {Marco Battaglia and Dario Bisello and Richard Celestre and Devis Contarato and Peter Denes and Serena Mattiazzo and Craig Tindall},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1111.2151},
  year   = {2015}
}

备注

9 pages, 5 figures, submitted to Nuclear Instruments and Methods A

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