非辐照与辐照双 SOI 集成型传感器的特性
仪器与探测器
2016-09-21 v1
摘要
我们正在基于 0.2 μm 全耗尽绝缘体上硅 (Silicon-on-Insulator, SOI) 技术开发用于高能物理 (HEP) 实验应用的单片像素传感器。总电离剂量 (TID) 效应是 HEP 实验中硬辐射环境应用的主要问题。为补偿 TID 损伤，我们引入了具有额外中间硅层 (SOI2 层) 的双 SOI 结构。我们研究了由 ⁶⁰Co γ 射线引起的 TID 损伤恢复以及集成型双 SOI 传感器的其他特性。当对 SOI2 层施加负电压时，辐照至 100 kGy 的双 SOI 传感器对红外激光的响应与非辐照传感器相似。我们得出结论，双 SOI 传感器具有足够的抗辐射能力，可用于如 Belle II 或 ILC 等严苛辐射环境中的 HEP 实验。
引用
@article{arxiv.1507.05382,
title = {Characteristics of Non-Irradiated and Irradiated Double SOI Integration Type Sensor},
author = {Mari Asano and Kazuhiko Hara and Daisuke Sekigawa and Shunsuke Honda and Naoshi Tobita and Yasuo Arai and Toshinobu Miyoshi and Ikuo Kurachi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.05382},
year = {2016}
}
备注
Proceedings of International Workshop on SOI Pixel Detector (SOIPIX2015), Tohoku University, Sendai, Japan, 3-6, June, 2015. C15-06-03