具有模拟和数字像素的深亚微米 SOI 技术单片像素传感器
仪器与探测器
2009-06-23 v1
摘要
本文介绍了采用深亚微米全耗尽绝缘体上硅（SOI）CMOS 工艺制造的原型单片像素传感器的设计和测试结果。在 SOI 技术中，一层薄集成电子器件通过埋氧层与（高电阻率）硅衬底绝缘。通过刻蚀穿过氧化层的通孔，可以从电子器件层接触衬底，从而可以创建像素注入并施加反向偏压。该原型芯片采用 OKI 0.15 微米 SOI 工艺制造，在 10 微米间距上同时具有模拟和数字像素。讨论了使用红外激光和 1.35 GeV 电子进行的测试结果，以及对电离和非电离剂量影响的初步评估。
引用
@article{arxiv.0811.4540,
title = {Monolithic Pixel Sensors in Deep-Submicron SOI Technology with Analog and Digital Pixels},
author = {Marco Battaglia and Dario Bisello and Devis Contarato and Peter Denes and Piero Giubilato and Lindsay Glesener and Serena Mattiazzo and Chinh Vu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.4540},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 7 figures, submitted to Nuclear Instruments and Methods A