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基于 0.15 微米全耗尽 SOI 技术的单片像素传感器

仪器与探测器 2008-11-26 v1

作者: Marco Battaglia , Dario Bisello , Devis Contarato , Peter Denes , Piero Giubilato , Lindsay Glesener , Chinh Vu

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摘要

本文介绍了一种采用 OKI 0.15 微米全耗尽 SOI 技术制造的单片像素传感器的设计，其像素尺寸为 $10\times10$ 微米 $^2$ ，并报告了其表征的初步结果。已在 LBNL ALS 的 1.35 GeV 电子束上研究了该芯片对带电粒子的响应。

引用

@article{arxiv.0709.4218,
  title  = {A Monolithic Pixel Sensor in 0.15 micron Fully Depleted SOI Technology},
  author = {Marco Battaglia and Dario Bisello and Devis Contarato and Peter Denes and Piero Giubilato and Lindsay Glesener and Chinh Vu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0709.4218},
  year   = {2008}
}

评论

4 pages, 5 figures, submitted to Nuclear Instruments and Methods A

R2 v1 2026-06-29T04:04:33.913Z