SOI 像素器件中 TID 损伤的补偿
仪器与探测器
2015-07-22 v1
摘要
我们正在研究将 SOI 像素器件应用于未来高能物理（HEP）实验。像素传感器需在极严苛的辐射环境中工作。采用过程中最具挑战性的问题是由 TID（总电离剂量）损伤引起的，即 trapped 在氧化层中的空穴影响附近晶体管的操作。我们引入了第二层 SOI 层——位于 BOX（埋氧）层之下的 SOI2——通过对该电极施加负电压来补偿 TID 效应，以抵消累积正空穴所造成的影响。本文基于晶体管特性测量，给出了由 Co gamma 射线辐照引起的 TID 效应。辐照在各种偏置条件下进行，以研究空穴累积对电势配置的依赖关系。我们还将数据与 X 射线辐照的样品进行了比较。由于观察到两组辐照数据相当一致，TID 效应已在 100~Gy 至 2~MGy 的宽剂量范围内得到研究。
引用
@article{arxiv.1507.05860,
title = {Compensation for TID Damage in SOI Pixel Devices},
author = {Naoshi Tobita and Shunsuke Honda and Kazuhiko Hara and Wataru Aoyagi and Yasuo Arai and Toshinobu Miyoshi and Ikuo Kurachi and Takaki Hatsui and Togo Kudo and Kazuo Kobayashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.05860},
year = {2015}
}