通过隧穿效应补偿 SOI 像素探测器的辐射损伤
仪器与探测器
2016-09-21 v2
摘要
我们正在开发基于 SOI 技术的单片像素探测器，用于高能物理、X 射线应用等领域。为了在此类辐射环境中使用 SOI 像素探测器，我们必须解决被氧化物层包围的晶体管的总电离剂量 (TID) 效应问题。辐照后在氧化物层中产生并被捕获的空穴，因其正电场而影响附近晶体管的特性。由于组件的热耐受性和操作难度，退火和紫外辐射对于已制成的探测器而言并非去除捕获空穴的现实方法。我们研究了利用高压通过隧穿效应补偿 TID 效应的方法。为了减少捕获空穴，对位于氧化物层下方的掩埋 p 阱施加高压，以将电子注入氧化物层。本报告展示了该研究的最新进展。
引用
@article{arxiv.1507.02797,
title = {Compensation of radiation damages for SOI pixel detector via tunneling},
author = {Miho Yamada and Yasuo Arai and Ikuo Kurachi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.02797},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 14 figures, Proceedings of International Workshop on SOI Pixel Detector (SOIPIX2015), Tohoku University, Sendai, Japan, 3-6, June, 2015. C15-06-03