MOSFET 隔离氧化物中辐射诱导缺陷累积的改进模型
应用物理
2020-09-29 v1
摘要
电离辐射在当前 MOSFET 的 STI 氧化物中诱导缺陷。这些缺陷可能降低 MOS 电路的性能。文献中已有用于辐射暴露期间这些缺陷累积的解析模型。在本文中，我们表明用于估计 MOS 管中 TID 诱导陷阱累积的经典模型在高辐射水平下预测结果不准确。我们进一步引入了一种改进模型来估计缺陷累积，该模型对低和高辐射剂量均有效。我们的改进模型与已发表数据进行了比较，显示了其有效性。
引用
@article{arxiv.2009.12652,
title = {Improved Buildup Model for Radiation-Induced Defects in MOSFET Isolation Oxides},
author = {Hesham. H. Shaker and A. A. Saleh and Mohamed Refky Amin and S. E. D. Habib},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.12652},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 13 Figures