从基于陷阱的视角理解 FinFET 技术中的热载流子可靠性
介观与纳米尺度物理
2021-12-23 v1
摘要
本文从基于陷阱的视角介绍了我们在热载流子退化(HCD)研究方面的最新进展。界面陷阱生成的微观推测通过“实时”时间依赖密度泛函理论(TDDFT)模拟进行。从实验中识别出两类对 HCD 有贡献的氧化物陷阱。结合界面陷阱与氧化物陷阱的贡献，提出了一种统一紧凑模型，可准确预测全 Vgs/Vds 偏压下的热载流子退化与涨落。详细研究了陷阱位置、退化贡献与温度依赖性。此外，讨论了通过自加热及在关态应力下的 HCD-BTI 耦合混合模式可靠性。
引用
@article{arxiv.2112.11753,
title = {Understanding Hot Carrier Reliability in FinFET Technology from Trap-based Approach},
author = {Runsheng Wang and Zixuan Sun and Yue-Yang Liu and Zhuoqing Yu and Zirui Wang and Xiangwei Jiang and Ru Huang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.11753},
year = {2021}
}
备注
Accepted by IEDM 2021