充氢条件对金属中氢的热脱附谱模拟的影响
化学物理
2020-08-03 v1
摘要
由氢脆引起的失效是金属领域的一大关切，因此亟需更好地理解损伤微观机制及氢在金属内的扩散。局域浓度取决于包含捕获效应的输运现象，后者通常通过常被称为热脱附分析（TDA）的程序升温脱附法来表征。在程序升温过程中氢从试样释放时，会观察到一些脱附峰，通常借助解析方法将其与脱陷阱能相关联。本文重新审视该方法的局限性，并模拟了高温下的气态氢充入。这一常用方法因氢在高温下溶解度更高而能达到高浓度。然而，氢向陷阱的偏析行为取决于充氢时间与温度。该过程及随后的冷却改变了氢分布，本文对其进行了数值建模；发现无论对弱陷阱还是强陷阱，TDA谱均受充氢温度与充氢时间的强烈影响。不过，冷却后、脱附前室温下的时效时间影响仅对弱陷阱可察觉。
引用
@article{arxiv.2007.15983,
title = {Influence of charging conditions on simulated temperature-programmed desorption for hydrogen in metals},
author = {A. Díaz and I. I. Cuesta and E. Martínez-Pañeda and J. M. Alegre},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.15983},
year = {2020}
}