基于亚阈值输运的高度缩放无掺杂硅n型FinFET的界面陷阱密度计量
介观与纳米尺度物理
2015-05-27 v2 材料科学
摘要
沟道电导测量可用作研究最先进FinFET亚阈值区热激活电子输运的工具。结合理论紧束缚计算，该技术可用于理解源到沟道势垒高度和有效沟道面积随栅极偏压的演化。我们观察到的实验值与理论值之间的定量差异可归因于这些FinFET中存在的界面陷阱。因此，基于(i) S和(ii) |dEb/dVgs|（沟道到栅极耦合）的测量值与计算值之差，概述了两种新的界面陷阱密度计量方法。这两种方法被证明非常一致且可靠，从而为原位分析最先进的多栅极FET（直至几纳米宽度极限）开辟了新途径。此外，对空间电流密度的理论研究揭示了在阈值电压附近，较薄FinFET中的体反型。
引用
@article{arxiv.1102.0140,
title = {Interface trap density metrology from sub-threshold transport in highly scaled undoped Si n-FinFETs},
author = {Abhijeet Paul and Giuseppe C. Tettamanzi and Sunhee Lee and Saumitra Mehrotra and Nadine Colleart and Serge Biesemans and Sven Rogge and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.0140},
year = {2015}
}
备注
12 figures, 13 pages, Submitted to Journal of Applied Physics