直接表征FinFET的新工具
介观与纳米尺度物理
2011-11-28 v1 材料科学
摘要
本文探讨了如何将热电子发射等经典输运理论用作研究和理解鳍式场效应晶体管（FinFET）中最复杂输运机制的强大工具。通过在不同温度和不同栅极电压（）下进行简单的电流和微分电导测量，可以外推出重要参数的演变，例如输运的空间区域和沟道中心的热电子势垒高度。此外，若将这些测量与模拟数据结合使用，还能提取这些器件的界面陷阱密度。这些是重要的成果，也因为这些参数是直接在先进器件上而非专门设计的测试结构中提取的。本文还讨论了在这些具有掺杂或非掺杂沟道的超微缩器件中可能出现的不同输运机制的表征。这些机制的例子包括全体反型和弱体反型。展示热电子发射工具效力的具体案例在第\ref{sec:II}、\ref{sec:III}和\ref{sec:IV}节中讨论。本文旨在作为4篇相关出版物（见参考文献[2-5]）的全面概述，并已作为书籍章节投稿于参考文献[6]。
引用
@article{arxiv.1111.5655,
title = {New tools for the direct characterisation of FinFETs},
author = {G. C. Tettamanzi and A. Paul and S. Lee and G. Klimeck and S. Rogge},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.5655},
year = {2011}
}
备注
This text has been designed as a comprehensive overview of 4 related publications (see Ref. [2-5] in the documents) and has been recently submitted as a book chapter (see Ref. [6] of the document)