2D 拓扑晶体管器件电荷与传输的第一性原理建模
介观与纳米尺度物理
2026-03-30 v1
摘要
我们基于密度泛函理论（DFT）开发了一种用于 2D 拓扑绝缘体场效应晶体管（2D TIFET）电荷和传输建模的仿真框架。我们发现，DFT 计算中对基组和对称性约束的严格考虑对于确定关键电场（）至关重要，后者定义为拓扑相变发生的电场强度。利用球面 Landauer-B"uttiker公式和局部电位轮廓，获得了漏电流-栅压电压（-）特性，研究了开关行为。与 模型的比较揭示了针对实际边缘能带进行 DFT 计算的必要性。我们的ethods 提供了一种高效且严谨的 2D TIFET 亚介观传输仿真方法。
引用
@article{arxiv.2603.13714,
title = {First-principles modeling of electrostatics and transport in 2D topological transistors},
author = {Hyeonseok Choi and Yosep Park and Subeen Lim and Yeonghun Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.13714},
year = {2026}
}