基于紧致绑定模型的二维拓扑绝缘体场效应晶体管器件建模与栅极诱导相变
介观与纳米尺度物理
2026-03-17 v1 应用物理
摘要
基于二维量子自旋 H 绝缘体构建的拓扑绝缘体场效应晶体管(TIFET)正因其源自无耗边缘传输的潜在优势性能而受到青睞。本文基于紧致绑定模型和非平衡格林函数形式构建器件建模，以模拟 TIFET 的电压-电流特性。我们随后使用器件模拟器演示了通道长度对器件性能的影响。该器件建模不仅能够直接估计 TIFET 的性能，还为通过拓扑相变实现非传统开关操作提供了见解。
引用
@article{arxiv.2603.06021,
title = {Tight-Binding Device Modeling of 2-D Topological Insulator Field-Effect Transistors With Gate-Induced Phase Transition},
author = {Yungyeong Park and Yosep Park and Hyeonseok Choi and Subeen Lim and Dongwook Kim and Yeonghun Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.06021},
year = {2026}
}