完整SiGe双栅隧道场效应晶体管的器件改进与电路性能评估
介观与纳米尺度物理
2011-05-26 v1
摘要
近年来，针对隧道场效应晶体管（TFET）已开展了大量仿真工作，但这些工作仅限于器件性能分析。电路性能的评估是一个很少被触及的话题，这是由于商用仿真器中缺乏隧道场效应晶体管的紧凑模型。本文首次对隧道场效应晶体管（扩展沟道TFET）进行电路分析，并在基本数字电路上对其进行测试。我们利用Orcad中的模型编辑器生成了TFET模型，随后在Pspice电路设计中使用这些模型进行了广泛的电路仿真。基于功耗和延迟，对扩展沟道双栅TFET在反相器、与非门、或非门和环形振荡器中的性能进行了评估。在此之前，我们对双栅扩展沟道TFET进行了器件分析；扩展沟道此前已在SOI TFET上尝试过，我们首次将其应用于双栅Si1-xGex TFET。我们还考察了引入Si层的影响。针对不同Ge摩尔分数，并与MOSFET进行了比较，评估了该器件的性能。
引用
@article{arxiv.1105.4941,
title = {Device Improvement and Circuit Performance Evaluation of complete SiGe Double Gate Tunnel FETs},
author = {Rahul Mishra and Bahniman Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.4941},
year = {2011}
}